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【兆恒机械】一文了然GAA芯片技术

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  • 添加日期:2021年08月21日

2020 年 9 月 16 日,苹果在秋季第一场新品发布会上推出了 A14 仿生芯片,在 5nm 工艺节点上成功抢得先机。

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  接下来,犹抱琵琶半遮面的华为麒麟 9000 系列芯片也将在 10 月 22 日随 Mate40 系列手机一起推出,采用的自然也是 5nm 工艺。

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  而 12 月 1 日 - 2 日,高通会在 2020 年骁龙技术峰会上发布新一代 5nm 旗舰芯片骁龙 875,为安卓终端提供更广泛的支持。

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  这些芯片排队发布,意味着半导体工艺 5nm 的时代正在全面到来。

其实,当看到 5nm 的苹果 A14 芯片发布时,小编心里突然涌上一阵感慨,半导体的制程工艺,从 10nm 到 7nm 再到现在的 5nm,进化的幅度越来越小,但每进一步,都是整个行业付出巨大研发成本的结果。

相信大家平时刷新闻时已经有所了解,芯片的制程工艺越来越小,等于晶体管越做越小,当工艺越来越接近极限时,难度就会呈指数级上升。

仿佛一个学生,将考分从 60 分提升到 80 分也许不难,但将分数从 95 分提升到 100 分,就很不容易。

最好的例子就是芯片巨头英特尔在 14nm 节点长达 5 年的停滞,一度让 “摩尔定律已死”的言论甚嚣尘上。

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  好在另一方面,台积电和三星在制程技术上突飞猛进,从 10nm 到 7nm 再到今年的 5nm,一路顺利推进,并超越了英特尔。

尽管后两者在制程名称上有玩 “数字游戏”的成分,但他们对推进半导体制程技术进化、延续摩尔定律所做的贡献有目共睹。

这些年来,芯片制程工艺能够不断微缩,性能可以不断增强,都有赖于整个半导体行业以及学术领域的勇敢创新和不懈努力。

而当节点进一步微缩,5nm 之后的 3nm、2nm、1nm,新的问题又会出现,甚至原来拯救摩尔定律的 3D FinFET 晶体管都将无法应对极限微观世界的要求。

接下来,我们会越来越频繁地听到一个新名词——GAA(环绕式栅极技术晶体管)。

什么是 GAA 环绕式栅极技术晶体管?这篇文章IT之家就和大家一起了解一下。

1、从 3D FinFET 到 GAA,5nm 之后就靠它了

作为取代 3D FinFET 晶体管的全新技术,其实 GAA 环绕式栅极技术晶体管和 3D FinFET 有着千丝万缕的联系,因此我们需要从 3D FinFET 晶体管说起。

在《台积电 5 纳米吊打英特尔 10 纳米?别纠结了,这只是 “数字游戏”》一文中,其实IT之家已经为大家介绍过 3D FinFET 晶体管,这里再简单回顾一下。

其实所谓晶体管,用通俗易懂的话来讲,就是用半导体材料制作的电流开关结构。左边一个源极(半导体),右边一个漏极(半导体),中间加个栅极(金属),让栅极来控制电流从源极到漏极的通断。

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  在过去,栅极和源极、漏极之间接触的地方是一个平面,形状差不多是一个矩形,栅极正是依靠这个接触面来对源极和漏极的电流进行控制。

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可是,晶体管越做越小,这个接触面的宽度(其实就是栅极的宽度)也越来越窄,当窄到一定程度时(大概是 20nm 左右),栅极对电流的控制力就会大幅减弱。

控制力减弱,就会导致源极的电流穿透栅极,直接和漏极导通,这种情况叫漏电。很显然,漏电不是个好事情,它会导致芯片发热量急剧上升。

所以半导体工艺进化之路在 20nm 左右曾一度面临停滞,摩尔定律遭受威胁。

怎么办呢?其实只要栅极和源极、漏极之间的接触面积足够大,就能控制住电流。这个接触面的宽度不能增加,那就只能增加长度了。

1999 年华人教授胡正明带领加州大学伯克利分校的研究团队发明了 FinFET 晶体管技术和 UTB-SOI 技术,解决了上面说的问题。

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  其中,FinFET 晶体管技术是我们听过最多的。它的解决思路就是改造晶体管的结构,将源极和漏极做成像鳍片一样直立的样子,然后让栅极三面包围住鳍片,就像下面这样。

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  这样,等于是让栅极的宽度不变,通过巧妙地增加长度,来大大增加接触面积,从提升对电流的控制。

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换句话说,原来只有一个接触面,现在有三个了,哪怕栅极宽度在进一步缩小,也不怕。

由于这种鳍片结构是立体的形态,所以也叫做 3D FinFET。

3D FinFET 技术的出现解决了晶体管工艺缩小引发的漏电的问题,让半导体的制程可以进一步推进。

随后,经过十多年的产业化推进,英特尔在 2011 年首先推出了使用 22nm FinFET 工艺的第三代 Core 处理器,这标志着摩尔定律的延续。

胡正明教授也被人们称为 FinFET 教父,以及 “拯救摩尔定律的男人”。

而 3D FinFET 技术也伴随着半导体产业发展,一路走到今天的 7nm、5nm 时代。

但是,随着芯片制程的进一步微缩,到了 5nm 之后的 3nm、2nm 等等,3D FinFET 也将迎来它的极限,鳍片距离太近、漏电重新出现,物理材料的极限都让 3D FinFET 晶体管难以为继。

还有随着工艺微缩,假如原来一个 FinFET 晶体管上可以放三个鳍片,现在只能放一个,所以就得把鳍片增高。可是鳍片越来越高,到一定高度后,很难在内部应力作用下保持直立,FinFET 结构就很难形成了。

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  总之就是,5nm 之后,3D FinFET 也不能用了。

这时候,就轮到 GAA 环绕式栅极技术晶体管技术登场了。

GAA 全称 Gate-All-Around ,是一种环绕式栅极技术晶体管,也叫做 GAAFET。它的概念的提出也很早,比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。

其实 GAAFET 相当于 3D FinFET 的改良版,这项技术下的晶体管结构又变了,栅极和漏极不再是鳍片的样子,而是变成了一根根 “小棍子”,垂直穿过栅极,这样,栅极就能实现对源极、漏极的四面包裹。

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看起来,好像原来源极漏极半导体是鳍片,而现在栅极变成了鳍片。所以 GAAFET 和 3D FinFET 在实现原理和思路上有很多相似的地方。

不管怎么说,从三接触面到四接触面,并且还被拆分成好几个四接触面,显然,这次栅极对电流的控制力又进一步提高了。

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  此外,GAA 的这种设计也可以解决原来鳍片间距缩小的问题,并且在很大程度上解决栅极间距缩小后带来问题,例如电容效应等。

总之,在 GAAFET 技术的巧妙帮助下,半导体制程工艺的进化之路还将进一步往前走,并将成为 5nm 之后大家经常听到的关键词。

2、三星、英特尔和台积电,同样的态度,不同的进展

GAAFET 技术如此重要,显然目前芯片代工的三巨头英特尔、三星和台积电都在积极备战,准备在 5nm 之后的节点上大干一场。

首先要说明的是,前面我们讲到源极到漏极的 “小棍子”,只是举例,实际上也可以是其他形状,例如圆柱状、甚至是板状的等等。

就这一点,目前行业里分几种方案:

纳米线,就是采用圆柱或者方形的截面;板片状,顾名思义,就是源极漏极的半导体设计成水平的板块状,通常会堆叠多个穿透栅极;六角形截面;纳米环技术,就是穿透栅极的半导体为环形截面。在三巨头中,目前最积极高调的是三星,他们采用的是第二种方案,也就是堆叠的板片状方案。目前三星也是三巨头中唯一一家公布自己在 GAA 上详细技术方案的企业。

三星还给自家 GAA 技术取了个独特的名字:Multi-Bridge Channel,简称 MBCFET。

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  三星表示,他们会在 3nm 这一节点上使用 MBCFET 技术。MBCFET 相比纳米线技术拥有更大的栅极接触面积,从而在性能、功耗控制上会更加出色。

就板片状的技术方案来说,三星透露其目前设计每个晶体管上堆叠 3 条板片,板片厚度为 5nm,板片之间的距离为 10nm,同时栅极长度为 12nm 等。

在具体表现方面,三星还称第一代的 3nm MBCFET 相比 7nm FinFET 会有 35% 的性能提升,功耗会降低 50%,芯片面积则会缩减 45%,电压则可以下降到 0.7V。

三星更是信心满满地表示,2020 年底,他们的 MBCFET 就可以开始风险试产,2021 年有望大规模量产,同时 2021 年他们还会推出第一代 MBCFET 的优化版本。

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  值得一提的是,三星在 GAA 上也尝试了其他技术方案,不同方案在性能、功率方面的表现也不同,未来可以根据芯片应用场景的差异来匹配对应的方案。

相比三星的激进,台积电这边就相对保守了,目前他们已经表示,3nm 节点上将会继续打磨 FinFET 技术,而不是急于上马 GAAFET。

主要原因是台积电切入 GAA 技术的时间相对晚于三星,同时也为产业链平稳过渡考虑。

至于什么时候会使用 GAA 技术,官方还没有明确公布。但根据外界的消息,台积电会在 2nm 节点上采用 GAA 技术。

  台积电已表示,2nm 研发生产将落脚新竹宝山,将规划建设 4 个超大型晶圆厂,投入 8000 名工程师,目前已经交付研发,根据规划,2nm 工艺预计会在 2023 年开始风险试产,2024 年量产。

至于英特尔,按照他们的进度,2021 年会推出 7nm 工艺,采用的仍然是目前的 SuperFinFET,而到 2023 年,他们会在 5nm 这个节点上放弃 FinFET 晶体管,转向 GAA 环绕栅极晶体管。这个消息来自产业链,并非英特尔官方公布,但此前英特尔曾表示,将在 5nm 工艺重新夺回领导地位,由此来看,他们在 2023 年的 5nm 节点上推出 GAA 工艺是大概率会发生的。

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  3、半导体行业还没有到极限

就像 FinFET 工艺拯救了芯片产业,在 5nm 之后的时代,GAAFET 也将成为带领半导体行业进一步发展的关键。当然,在这背后,每前进一步,都是行业付出巨大努力的结果。

就以 GAA 技术来说,三星透露其自家 3nm GAA 的研发成本比 5nm FinFET 更高,有可能超过 5 亿美元,巨大的研发成本首先就是摆在行业面前的一道坎。

同时 GAAFET 的工艺制造难度也是极高的,具体的细节这里就不说了,最难的地方自然是如何让栅极环绕源极和漏极的纳米线,这里面的工艺极其复杂,也只有对 FinFET 技术炉火纯青的半导体巨头才能应对这样的技术挑战。

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    此外,和 GAA 技术配套的 EUV 极紫外光刻技术也需要进一步成熟,解决光刻功率不够以及光子噪音等问题。


但好消息时,因为 GAA 相当于传统 FinFET 的 “改良版”,因此生产制造的很多技术细节和步骤是可以共用的,这意味着像三星、台积电和英特尔这些对 FinFET 技术非常熟悉的巨头,在 GAA 技术过渡时可能会比过去更加顺畅,产业化的时间也可能会更短。

最后,IT之家想说的是,GAA 技术的推进,的确在很大程度上推进半导体工艺特别是先进制程上的发展。但随着制程技术越来越接近物理极限,想要把芯片继续做薄做小,先进制程也并不是唯一的道路,材料、封装等也都可以称为突破的道路。

前面我们说到的胡正明教授曾经说过:

FinFE 证实了这个产业还有很多可以用我们的智慧来解决的问题,我还真是看不到半导体产业发的极限。

这句话放在 GAA 上也适用,或者说,只要这个世界仍然对运算有需求,半导体行业的人们就会想出智慧的解决方案来拓宽行业的天花板,用他们的技术让这个世界更加美好。