专注高端智能装备一体化服务
认证证书

新闻资讯

【兆恒机械】MEMS 器件刻蚀工艺优化

  • 点击量:
  • |
  • 添加日期:2021年07月14日

从广义来讲,MEMS是指集微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的完整微型机电系统。它可以把运动、光、声、热、磁等自然界信号转化为电信号,还可以通过电路系统控制这些信号发出指令。MEMS很多基本结构都是在厚多晶的基础上加工的,本文要介绍的硅基电容式传感器就是其中一种。



1.光刻工艺流程

在涂胶之前,硅片先放入一个充满N2的真空腔内,去除硅片表面水汽,然后用表面处理剂(HMDS)对硅片表面进行处理,是硅表面疏离水分子并增加其与光刻胶的结合力。一般在150℃-200℃之间加热1-2分钟。HMDS处理原理如下图所示。

显影采用进口MF320 显影液对硅片进行显影,显影液的主要成分为一种弱碱性的四甲基氢氧化铵,与曝光区域的光刻胶进行化学反应,溶解于显影液中,依据试验确定最佳显影时间为1 分钟。

2.刻蚀工艺

  产品需要经过六次光刻及腐蚀,分别是正面声孔区、背面腔孔区、正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔、正面铝。下面介绍在光刻及刻蚀工艺的改进方面。

(1)正面声孔区光刻:光刻胶选择方面,由于本次实验采用六氟化硫进行刻蚀,而普通的光刻胶抗蚀性差,另一方面,如果有细线条的话对光刻胶的腐蚀速率更大,所以选用耐腐蚀性强且分辨率较高的进口SPR6818 型光刻胶;此外,还调整了匀胶机的转速,优化涂胶程序,以满足显影精度的要求。

(2)正面声孔区腐蚀:由于六氟化硫对硅的腐蚀速率很快,要深槽腐蚀的时候,会出现侧蚀太大及扒胶的问题,如下图:
image.png

为了解决这一问题,在腐蚀剂中掺入了氦气,这样增加了F的活性,也使腐蚀更加均匀,如下图:
image.png

(3)背面腔孔区:要注意对准标记要放在视场的中间位置进行对准曝光,越在中间对准精度越高,否则出现偏差。本次刻蚀可以留出背面腔孔释放区域图形,为以后的腔体释放做准备。

(4)通过光刻腐蚀正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔形成产品结构,如下图:
image.png

(5)正面铝光刻:刻蚀的目的是做出电容极板的电极,该引线槽较深,因此应加大涂胶量。也应加大曝光量,并采取二次曝光。如下图:
image.png


结束语

阐述了在制造硅基电容式传感器时改进的工艺流程,解决了MEMS 器件在深沟槽刻蚀过程中光刻胶的耐腐蚀性及深沟显影等难点。此工艺流程简单,可以大批量进行MEMS 器件的生产加工,具有良好的应用前景。