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【兆恒机械】光刻技术在半导体产业中的重要地位

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  • 添加日期:2021年03月17日

人类社会对于“刻”、“做标记”并不陌生。作为文明的标志,远古的人们在洞穴中刻出了生命的图腾。作为现代科学的象征,今天的人们在半导体晶片上刻出电路的结构。远古的人们用的是木头,石头,今天人们更加聪明,需要刻在更加微小的尺度上,人们用的是电和光。同样是一个刻,刻在半导体上就成了电路。



   当然实际上没有理论分析地这么简单。光刻只是在半导体上刻出晶体管器件的结构,以及晶体管之间连接的通路。要真正地实现电路,则还需要搀杂,沉积,封装等系列芯片工艺手段。但光刻是第一步,整个芯片工艺所能达到的最小尺寸是由光刻工艺决定的。

 

   自从1947年第一个晶体管发明以来,科学技术一直在迅猛发展,为更高级、更强大、成本效益和能效更高的产品发明铺平了道路。尽管进步巨大,但是晶体管发热和电流泄露问题始终是制造更小的晶体管、让摩尔定律持久发挥效力的关键障碍。毫无疑问,过去40年一直用来制造晶体管的某些材料需要进行替代。


世界上第一个晶体管

   从第一个晶体管问世算起,半导体技术的发展已有多半个世纪了,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体设备带来前所未有的挑战。

 

   集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多个工序,其中尤以光刻工艺最为关键,决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436nm365nm波长进入到深紫外(DUV)区间的248nm193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。


1997
年,IBM公司开发出芯片铜互联技术

   随着芯片集成度的提高,对光刻技术提出了越来越高的要求。在上世纪80年代,普遍认为光学光刻技术所能达到的极限分辨率为0.5,但是随着一些新技术的应用和发展,包括光源、成像透镜、光致抗蚀剂、分步扫描技术以及光刻分辨率增强技术(RET)的发展,使其光刻极限已推进到目前的0.1以下。尽管有人对光学光刻的潜力充满怀疑,但其仍以顽强的生命力,不断突破所谓的极限分辨率,是目前所采用的主流光刻技术。


Intel
提供的一整块300mm晶圆与一个65nm工艺制造晶体管

   光刻技术是集成电路的关键技术之一,它在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35%。光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的进步,集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。